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等离子清洗机

LED磊晶段,於光阻顯影完後,再用電漿將殘餘光阻徹底去除,提昇之後的metal製程。 在磊晶廠要出貨至封裝廠前,將貼於藍膜的晶片表面,再做一次清潔,去除晶片表面的藍膜殘膠,使封裝的打線製程(Wire Bonding)量率及附著力提高。 電漿清潔於LED封裝段,應用於固晶前(Die Attache Die Bond)及打線前(Wire Bond): 在固晶前,針對基板(Substrate)做電漿清潔,去除基板表面。


電漿為一部分離化之氣態,電漿中所含中性的氣體分子、離化的分子、激態分子及電子,
並未達熱力學之平衡狀態:電子、離子及中性分子的能量分佈差異極大。一般電漿系統
電子的平均能量約為2eV,離子的平均能量約為0.04eV,中性分子的平均能量約為
0.025eV,若換算成溫度,則電子、離子及中性分子的溫度分別為23200K、500k、及
193K。因此電漿中的電子最具反應能力,且基板的溫度不用升高。
相較於一般的氣體反應,根據Maxwell-Boltzmann Distribution,只有能量大於反應活化能
(Eact)的分子才能進行化學反應,因此若要加速反應的進行,最常用的方法為提高氣體
的溫度,然而加熱氣體會增加整體反應系統的溫度,對於一些怕高溫的塑膠基材不是用,
且一些不必參與反應的分子一樣獲得相當多的能量造成能量的浪費。電漿反應在這方面
有非常不同的地方。
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